压力传感器的零点电漂移特性指标

　　用半导体硅集成电路工艺制备压力传感器已有30多年历史了，随着市场需求其每年以20%的速度增长，竞争十分剧烈，但仍存在以下问题迫切需要解决，并应引起注意：

　　(1)电阻非线性问题突出。力敏电阻依靠p-n结与衬底隔离，在P区侧的耗尽层宽度与外加电压有关，故电阻条的有效导电厚度随外加电压而变化，表现为非线性，并直接导致零点的电漂移。

　　(2)零点电漂移。压力传感器的特性指标除众所周知的几个之外，我们在上百次对国内外不同品种的压力传感器进行测定时，均发现了零点电漂移现象，在国际上我们是领先观察到并给予定义的。零点电漂移影响压力传感器的测量精度，使灵敏度大大降低。

　　(3)热零点漂移与漏电问题。热零点漂移是影响压力传感器性能的重要指标，受到广泛重视。国际上认为热零点漂移仅取决于力敏电阻的不等性及其温度非线性，但我们认为热零点漂移还与力敏电阻的反向漏电有关，对该理论作出了重要补充，还指出多晶硅可以吸除衬底中的重金属杂质，从而减小力敏电阻的反向漏电、改善热零点漂移，提高传感器。